Name: onsemi NTZD3156CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZD3156CT1G
Availability: InStock
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onsemi NTZD3156CT1G

Artikelnummer:

NTZD3156CT1G

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

Datenblätte:

1.NTZD3156CT1G.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 07/Jul/2010.pdf

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf

Datenblätter
NTZD3156C.pdf

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RoHs Status:

Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

Zahlungsmittel:

PayPal / Credit Card / T/T

Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi NTZD3156CT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTZD3156CT1G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-563
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550mOhm @ 540mA, 4.5V
Leistung - max	250mW
Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	72pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	540mA, 430mA
Konfiguration	N and P-Channel
Grundproduktnummer	NTZD3156
NTZD3156CT1G Einzelheiten PDF [English]	NTZD3156CT1G PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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